casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TN0620N3-G-P002
Número de pieza del fabricante | TN0620N3-G-P002 |
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Número de parte futuro | FT-TN0620N3-G-P002 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TN0620N3-G-P002 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 250mA (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 150pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN0620N3-G-P002 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TN0620N3-G-P002-FT |
ZVN3320A
Diodes Incorporated
TN0702N3-G
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VN2106N3-G
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VN0104N3-G
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ZVN4310A
Diodes Incorporated
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K50ETI144-3
Intel
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
XA3S400-4FGG456I
Xilinx Inc.
A1440A-1VQG100C
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
EP4CE55F23C9LN
Intel
EP3C80F780I7N
Intel
EP20K200RC240-1
Intel
EP2S90F1020C3
Intel