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Toshiba Semiconductor and Storage TK9A60D(STA4,Q,M)

Name: TK9A60D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9A60D(STA4,Q,M)
Price: 1.304 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (309 reviews)

Número de pieza de MFG: TK9A60D(STA4,Q,M)

Cantidad disponible: 26510 Piezas

Precio de referencia: USD 1.304

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: π-MOSVII MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TK9A60D(STA4,Q,M).pdf

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Número de pieza del fabricante	TK9A60D(STA4,Q,M)
Número de parte futuro	FT-TK9A60D(STA4,Q,M)
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	π-MOSVII
TK9A60D(STA4,Q,M) Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	830 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1200pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Caja	TO-220-3 Full Pack
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK9A60D(STA4,Q,M) Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TK9A60D(STA4,Q,M)-FT

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