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Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60DB(STA4,Q,M)

Name: TK4A60DB(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4A60DB(STA4,Q,M)
Availability: InStock
Rating: 4.9 (666 reviews)

Número de pieza de MFG: TK4A60DB(STA4,Q,M)

Cantidad disponible: 77990 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: π-MOSVII MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TK4A60DB(STA4,Q,M).pdf

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Número de pieza del fabricante	TK4A60DB(STA4,Q,M)
Número de parte futuro	FT-TK4A60DB(STA4,Q,M)
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	π-MOSVII
TK4A60DB(STA4,Q,M) Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	540pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Caja	TO-220-3 Full Pack
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK4A60DB(STA4,Q,M) Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TK4A60DB(STA4,Q,M)-FT

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