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Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8101(TE85L,F,M

Name: TPCF8101(TE85L,F,M
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCF8101(TE85L,F,M
Availability: InStock
Rating: 4.6 (791 reviews)

Número de pieza de MFG: TPCF8101(TE85L,F,M

Cantidad disponible: 62000 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSIII MOSFET P-CH 12V 6A VS-8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TPCF8101(TE85L,F,M.pdf

TPCF8101(TE85L,F,M Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TPCF8101(TE85L,F,M
Número de parte futuro	FT-TPCF8101(TE85L,F,M
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIII
TPCF8101(TE85L,F,M Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1600pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	VS-8 (2.9x1.5)
Paquete / Caja	8-SMD, Flat Lead
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCF8101(TE85L,F,M Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TPCF8101(TE85L,F,M-FT

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