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Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X,LQ
- Número de pieza de MFG
- TK25V60X,LQ
- Cantidad disponible
- 31720 Piezas
- Precio de referencia
- USD 1.8368
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- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descripción
- DTMOSIV-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- TK25V60X,LQ.pdf
TK25V60X,LQ Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | TK25V60X,LQ |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-TK25V60X,LQ |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | DTMOSIV-H |
| TK25V60X,LQ Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2400pF @ 300V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 180W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 4-DFN-EP (8x8) |
| Paquete / Caja | 4-VSFN Exposed Pad |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TK25V60X,LQ Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | TK25V60X,LQ-FT |
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