casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / TA810PW200RJE
Número de pieza del fabricante | TA810PW200RJE |
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Número de parte futuro | FT-TA810PW200RJE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Chip® TA |
TA810PW200RJE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 200 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 10W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | - |
Coeficiente de temperatura | ±50ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 180°C |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Powerchip® |
Tamaño / Dimensión | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.020" (25.91mm) |
Número de terminaciones | 4 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA810PW200RJE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TA810PW200RJE-FT |
TEH100M10R0FE
Ohmite
TEH100M25R0FE
Ohmite
TEH100M50R0FE
Ohmite
TEH100M2R00FE
Ohmite
TEH100M7R50FE
Ohmite
TEH100M3R00FE
Ohmite
TEH100M20R0FE
Ohmite
TEH100M2R50FE
Ohmite
TEH100M100RFE
Ohmite
TEH100M15R0FE
Ohmite
M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
EP3C5M164C7N
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6F23C7N
Intel
10AX115N4F45I3SG
Intel
10AX115U4F45I3SGE2
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K100EQI240-3
Intel