casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / TEH100M10R0FE
Número de pieza del fabricante | TEH100M10R0FE |
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Número de parte futuro | FT-TEH100M10R0FE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEH100 |
TEH100M10R0FE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10 Ohms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 100W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | 100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | - |
Paquete / Caja | TO-247-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Tamaño / Dimensión | 0.620" L x 0.195" W (15.75mm x 4.95mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.825" (20.96mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TEH100M10R0FE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TEH100M10R0FE-FT |
TFSF51K0JE
Ohmite
TFSF750RJE
Ohmite
TFH85M1K00JE
Ohmite
TEH70P100RJE
Ohmite
TEH70P10K0JE
Ohmite
TEH70P10R0JE
Ohmite
TEH70P150RJE
Ohmite
TEH70P15R0JE
Ohmite
TEH70P1K00JE
Ohmite
TEH70P1K50JE
Ohmite
A1020B-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V2000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FG484C
Xilinx Inc.
EP3SE110F1152C2
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX1140T-G2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81500AQC240-2
Intel