casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUM70090E-GE3
Número de pieza del fabricante | SUM70090E-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SUM70090E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ThunderFET® |
SUM70090E-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1950pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263 (D2Pak) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM70090E-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SUM70090E-GE3-FT |
SI7792DP-T1-GE3
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XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel