casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI7850ADP-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI7850ADP-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI7850ADP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SI7850ADP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10.3A (Ta), 12A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 790pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.6W (Ta), 35.7W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7850ADP-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI7850ADP-T1-GE3-FT |
SI7148DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7156DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7156DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7160DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7160DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7170DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7172ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SI7186DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7186DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7190ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix