casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI7148DP-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI7148DP-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI7148DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7148DP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 28A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2900pF @ 35V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 5.4W (Ta), 96W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7148DP-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI7148DP-T1-GE3-FT |
SI7892BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR158DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR172ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR184DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR460DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR470DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR610DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR638DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR662DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR698DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel