casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUD50N06-08H-E3
Número de pieza del fabricante | SUD50N06-08H-E3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SUD50N06-08H-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUD50N06-08H-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 93A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD50N06-08H-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SUD50N06-08H-E3-FT |
SQJA06EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA34EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA46EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA60EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA62EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA64EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA72EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA84EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA88EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA90EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.