casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUD40N02-08-E3
Número de pieza del fabricante | SUD40N02-08-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SUD40N02-08-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUD40N02-08-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2660pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 8.3W (Ta), 71W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD40N02-08-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SUD40N02-08-E3-FT |
SI8439DB-T1-E1
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SI8469DB-T2-E1
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