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Vishay Siliconix SI8823EDB-T2-E1

Name: SI8823EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8823EDB-T2-E1
Price: 0.097432 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (134 reviews)

Número de pieza de MFG: SI8823EDB-T2-E1

Cantidad disponible: 95230 Piezas

Precio de referencia: USD 0.097432

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: TrenchFET® Gen III MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SI8823EDB-T2-E1.pdf

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Número de pieza del fabricante	SI8823EDB-T2-E1
Número de parte futuro	FT-SI8823EDB-T2-E1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET® Gen III
SI8823EDB-T2-E1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	580pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	900mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Paquete / Caja	4-XFBGA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI8823EDB-T2-E1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SI8823EDB-T2-E1-FT

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