casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQJ860EP-T1_GE3
Número de pieza del fabricante | SQJ860EP-T1_GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SQJ860EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ860EP-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2700pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 48W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ860EP-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQJ860EP-T1_GE3-FT |
SQM60N20-35_GE3
Vishay Siliconix
SQM70060EL_GE3
Vishay Siliconix
SQM85N15-19_GE3
Vishay Siliconix
SQM90142E_GE3
Vishay Siliconix
SQR40N10-25_GE3
Vishay Siliconix
SUB75P03-07-E3
Vishay Siliconix
SUM09N20-270-E3
Vishay Siliconix
SUM10250E-GE3
Vishay Siliconix
SUM110N03-03P-E3
Vishay Siliconix
SUM110N03-04P-E3
Vishay Siliconix
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel