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Vishay Siliconix SUD35N10-26P-GE3

Número de pieza de MFG
SUD35N10-26P-GE3
Cantidad disponible
53180 Piezas
Precio de referencia
USD 0.8876
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
TrenchFET® MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-SUD35N10-26P-GE3
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SUD35N10-26P-GE3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 35A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2000pF @ 12V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SUD35N10-26P-GE3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SUD35N10-26P-GE3-FT

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