casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUD35N10-26P-GE3
Número de pieza del fabricante | SUD35N10-26P-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SUD35N10-26P-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUD35N10-26P-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 35A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2000pF @ 12V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 8.3W (Ta), 83W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD35N10-26P-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SUD35N10-26P-GE3-FT |
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