casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQJA02EP-T1_GE3
Número de pieza del fabricante | SQJA02EP-T1_GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SQJA02EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJA02EP-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4700pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 68W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJA02EP-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQJA02EP-T1_GE3-FT |
SUM90N08-4M8P-E3
Vishay Siliconix
SUM90N08-6M2P-E3
Vishay Siliconix
SUM90N08-7M6P-E3
Vishay Siliconix
SUM90P10-19-E3
Vishay Siliconix
SUM90P10-19L-E3
Vishay Siliconix
2N6660-2
Vishay Siliconix
2N6660-E3
Vishay Siliconix
2N6660JTVP02
Vishay Siliconix
2N6660JTX02
Vishay Siliconix
2N6660JTXL02
Vishay Siliconix
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel