casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STW60NM50N
Número de pieza del fabricante | STW60NM50N |
---|---|
Número de parte futuro | FT-STW60NM50N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ II |
STW60NM50N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 68A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 34A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5790pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 446W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW60NM50N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STW60NM50N-FT |
STB20NM60-1
STMicroelectronics
STB21NM60N-1
STMicroelectronics
STB25NM50N-1
STMicroelectronics
STB25NM60N-1
STMicroelectronics
STB5NK50Z-1
STMicroelectronics
STB6NK60Z-1
STMicroelectronics
STB70NF03L-1
STMicroelectronics
STB80NF55-08-1
STMicroelectronics
STB9NK70Z-1
STMicroelectronics
STI11NM60ND
STMicroelectronics
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel