casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STB20NM60-1
Número de pieza del fabricante | STB20NM60-1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-STB20NM60-1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ |
STB20NM60-1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1500pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 192W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB20NM60-1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STB20NM60-1-FT |
CSD19505KTT
Texas Instruments
CSD18536KTTT
Texas Instruments
CSD19535KTTT
Texas Instruments
CSD19536KTT
Texas Instruments
CSD19506KTTT
Texas Instruments
CSD19535KTT
Texas Instruments
CSD18510KTT
Texas Instruments
CSD18535KTT
Texas Instruments
CSD19505KTTT
Texas Instruments
CSD19506KTT
Texas Instruments
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel