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Texas Instruments CSD19535KTTT

Número de pieza de MFG
CSD19535KTTT
Cantidad disponible
81000 Piezas
Precio de referencia
USD 2.33136
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Fecha de envío
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fabricante
Texas Instruments
Breve descripción
NexFET™ MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-CSD19535KTTT
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie NexFET™
CSD19535KTTT Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 200A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 7930pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor DDPAK/TO-263-3
Paquete / Caja TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD19535KTTT Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto CSD19535KTTT-FT

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