casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STW55NM60ND
Número de pieza del fabricante | STW55NM60ND |
---|---|
Número de parte futuro | FT-STW55NM60ND |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FDmesh™ II |
STW55NM60ND Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 51A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 25.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5800pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 350W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW55NM60ND Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STW55NM60ND-FT |
STI15NM60N
STMicroelectronics
STI15NM60ND
STMicroelectronics
STI16NM50N
STMicroelectronics
STI17NF25
STMicroelectronics
STI18NM60N
STMicroelectronics
STI19NM65N
STMicroelectronics
STI200N6F3
STMicroelectronics
STI21NM60ND
STMicroelectronics
STI23NM60N
STMicroelectronics
STI23NM60ND
STMicroelectronics
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel