casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STI23NM60N
Número de pieza del fabricante | STI23NM60N |
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Número de parte futuro | FT-STI23NM60N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ II |
STI23NM60N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 19A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2050pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 150W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STI23NM60N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STI23NM60N-FT |
TSM2N7000KCT A3G
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TSM1N45CT A3G
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STFW3N150
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A3PE600-2FGG484I
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M1A3P600-2PQ208
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LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
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10M25DAF256C7G
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EP3SE260F1152I3
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LCMXO640C-4M100C
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EP3SE110F780C2
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10AX048E2F29I1HG
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EP20K60EQC208-1
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