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TSM4ND60CI Image

Taiwan Semiconductor Corporation TSM4ND60CI

Número de pieza de MFG
TSM4ND60CI
Cantidad disponible
88240 Piezas
Precio de referencia
USD 0.912
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Fecha de envío
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fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descripción
- 600V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TSM4ND60CI Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 17.2nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 582pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 41.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor ITO-220
Paquete / Caja TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM4ND60CI Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TSM4ND60CI-FT

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