casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STW37N60DM2AG
Número de pieza del fabricante | STW37N60DM2AG |
---|---|
Número de parte futuro | FT-STW37N60DM2AG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
STW37N60DM2AG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 28A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2400pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 210W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW37N60DM2AG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STW37N60DM2AG-FT |
STB20NM50-1
STMicroelectronics
STB20NM60-1
STMicroelectronics
STB21NM60N-1
STMicroelectronics
STB25NM50N-1
STMicroelectronics
STB25NM60N-1
STMicroelectronics
STB5NK50Z-1
STMicroelectronics
STB6NK60Z-1
STMicroelectronics
STB70NF03L-1
STMicroelectronics
STB80NF55-08-1
STMicroelectronics
STB9NK70Z-1
STMicroelectronics
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation