casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STT7P2UH7
Número de pieza del fabricante | STT7P2UH7 |
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Número de parte futuro | FT-STT7P2UH7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ |
STT7P2UH7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2390pF @ 16V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.6W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-6 |
Paquete / Caja | SOT-23-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STT7P2UH7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STT7P2UH7-FT |
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