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ON Semiconductor FDG313N

Número de pieza de MFG
FDG313N
Cantidad disponible
16100 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-FDG313N
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
FDG313N Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 950mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 50pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SC-88 (SC-70-6)
Paquete / Caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDG313N Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FDG313N-FT

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