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STMicroelectronics STS6P3LLH6

Name: STS6P3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STS6P3LLH6
Price: 0.41888 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (347 reviews)

Número de pieza de MFG: STS6P3LLH6

Cantidad disponible: 92920 Piezas

Precio de referencia: USD 0.41888

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STS6P3LLH6.pdf

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STS6P3LLH6 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STS6P3LLH6
Número de parte futuro	FT-STS6P3LLH6
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
STS6P3LLH6 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1450pF @ 24V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.7W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STS6P3LLH6 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STS6P3LLH6-FT

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