casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STB8NM60D
Número de pieza del fabricante | STB8NM60D |
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Número de parte futuro | FT-STB8NM60D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ |
STB8NM60D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 380pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 100W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB8NM60D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STB8NM60D-FT |
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
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