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STMicroelectronics STB7ANM60N

Name: STB7ANM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB7ANM60N
Price: 1.25664 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (591 reviews)

Número de pieza de MFG: STB7ANM60N

Cantidad disponible: 80520 Piezas

Precio de referencia: USD 1.25664

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fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II MOSFET N-CH 600V DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STB7ANM60N.pdf

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STB7ANM60N Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STB7ANM60N
Número de parte futuro	FT-STB7ANM60N
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
STB7ANM60N Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	363pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB7ANM60N Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STB7ANM60N-FT

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