casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STI28N60M2
Número de pieza del fabricante | STI28N60M2 |
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Número de parte futuro | FT-STI28N60M2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ M2 |
STI28N60M2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 22A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1440pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 170W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK (TO-262) |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STI28N60M2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STI28N60M2-FT |
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10AX027E4F29I3SG
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5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
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