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Texas Instruments CSD17313Q2Q1

Name: CSD17313Q2Q1
Brand: Texas Instruments
SKU: CSD17313Q2Q1
Price: 0.21112 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (428 reviews)

Número de pieza de MFG: CSD17313Q2Q1

Cantidad disponible: 71010 Piezas

Precio de referencia: USD 0.21112

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fabricante: Texas Instruments

Breve descripción: Automotive, AEC-Q100, NexFET™ MOSFET N-CH 30V 5A 6SON

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: CSD17313Q2Q1.pdf

CSD17313Q2Q1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	CSD17313Q2Q1
Número de parte futuro	FT-CSD17313Q2Q1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q100, NexFET™
CSD17313Q2Q1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	+10V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	340pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	6-WSON (2x2)
Paquete / Caja	6-WDFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD17313Q2Q1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	CSD17313Q2Q1-FT

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