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STMicroelectronics STH315N10F7-2

Name: STH315N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STH315N10F7-2
Price: 2.848272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (768 reviews)

Número de pieza de MFG: STH315N10F7-2

Cantidad disponible: 30230 Piezas

Precio de referencia: USD 2.848272

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fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STH315N10F7-2.pdf

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Número de pieza del fabricante	STH315N10F7-2
Número de parte futuro	FT-STH315N10F7-2
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
STH315N10F7-2 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	180A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	12800pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	315W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	H2Pak-2
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH315N10F7-2 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STH315N10F7-2-FT

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