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STMicroelectronics STH110N10F7-2

Número de pieza de MFG
STH110N10F7-2
Cantidad disponible
59150 Piezas
Precio de referencia
USD 1.3666
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fabricante
STMicroelectronics
Breve descripción
DeepGATE™, STripFET™ VII MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-STH110N10F7-2
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie DeepGATE™, STripFET™ VII
STH110N10F7-2 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 110A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5117pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor H2Pak-2
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH110N10F7-2 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto STH110N10F7-2-FT

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