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STMicroelectronics STD1HNC60T4

Name: STD1HNC60T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD1HNC60T4
Availability: InStock
Rating: 4.8 (244 reviews)

Número de pieza de MFG: STD1HNC60T4

Cantidad disponible: 19370 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: PowerMESH™ II MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STD1HNC60T4.pdf

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STD1HNC60T4 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STD1HNC60T4
Número de parte futuro	FT-STD1HNC60T4
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerMESH™ II
STD1HNC60T4 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	228pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD1HNC60T4 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STD1HNC60T4-FT

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