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STMicroelectronics STD105N10F7AG

Name: STD105N10F7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD105N10F7AG
Price: 0.802664 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (457 reviews)

Número de pieza de MFG: STD105N10F7AG

Cantidad disponible: 93820 Piezas

Precio de referencia: USD 0.802664

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fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 MOSFET N-CH 100V 80A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STD105N10F7AG.pdf

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STD105N10F7AG Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STD105N10F7AG
Número de parte futuro	FT-STD105N10F7AG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
STD105N10F7AG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	61nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4369pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD105N10F7AG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STD105N10F7AG-FT

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