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STMicroelectronics STD19N3LLH6AG

Name: STD19N3LLH6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD19N3LLH6AG
Price: 0.34272 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (137 reviews)

Número de pieza de MFG: STD19N3LLH6AG

Cantidad disponible: 30120 Piezas

Precio de referencia: USD 0.34272

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fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ MOSFET N-CH 30V 10A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STD19N3LLH6AG.pdf

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STD19N3LLH6AG Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STD19N3LLH6AG
Número de parte futuro	FT-STD19N3LLH6AG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, STripFET™
STD19N3LLH6AG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	3.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	321pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD19N3LLH6AG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STD19N3LLH6AG-FT

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