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STMicroelectronics STD11N60M2-EP

Name: STD11N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD11N60M2-EP
Price: 0.56052 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (205 reviews)

Número de pieza de MFG: STD11N60M2-EP

Cantidad disponible: 96430 Piezas

Precio de referencia: USD 0.56052

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fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: MDmesh™ M2-EP N-CHANNEL 600 V 0.550 OHM TYP.

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STD11N60M2-EP.pdf

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STD11N60M2-EP Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STD11N60M2-EP
Número de parte futuro	FT-STD11N60M2-EP
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	MDmesh™ M2-EP
STD11N60M2-EP Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	7.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	595 mOhm @ 3.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	390pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	85W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD11N60M2-EP Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STD11N60M2-EP-FT

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