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STMicroelectronics STB36NM60ND

Name: STB36NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB36NM60ND
Price: 3.167976 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (378 reviews)

Número de pieza de MFG: STB36NM60ND

Cantidad disponible: 70480 Piezas

Precio de referencia: USD 3.167976

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fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STB36NM60ND.pdf

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STB36NM60ND Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STB36NM60ND
Número de parte futuro	FT-STB36NM60ND
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
STB36NM60ND Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	29A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	80.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2785pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB36NM60ND Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STB36NM60ND-FT

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