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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FUTE85LF
- Número de pieza de MFG
- SSM6N16FUTE85LF
- Cantidad disponible
- 13800 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.0608
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descripción
- - MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- SSM6N16FUTE85LF.pdf
SSM6N16FUTE85LF Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | SSM6N16FUTE85LF |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-SSM6N16FUTE85LF |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| SSM6N16FUTE85LF Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9.3pF @ 3V |
| Potencia - max | 200mW |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paquete del dispositivo del proveedor | US6 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SSM6N16FUTE85LF Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | SSM6N16FUTE85LF-FT |
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