casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI7904BDN-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI7904BDN-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI7904BDN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7904BDN-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 860pF @ 10V |
Potencia - max | 17.8W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7904BDN-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI7904BDN-T1-GE3-FT |
SI1023X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1033X-T1-GE3
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AGLN250V5-VQ100
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP3C25U256A7N
Intel
LFE3-150EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
Intel
EP3SL150F780C4N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel