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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J51TUTE85LF

Name: SSM6J51TUTE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J51TUTE85LF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (187 reviews)

Número de pieza de MFG: SSM6J51TUTE85LF

Cantidad disponible: 51220 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSIV MOSFET P-CH 12V 4A UF6

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SSM6J51TUTE85LF.pdf

SSM6J51TUTE85LF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SSM6J51TUTE85LF
Número de parte futuro	FT-SSM6J51TUTE85LF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIV
SSM6J51TUTE85LF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.5V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	54 mOhm @ 2A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1700pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	UF6
Paquete / Caja	6-SMD, Flat Leads
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6J51TUTE85LF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SSM6J51TUTE85LF-FT

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