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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J51TUTE85LF

Número de pieza de MFG
SSM6J51TUTE85LF
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51220 Piezas
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
U-MOSIV MOSFET P-CH 12V 4A UF6
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
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Número de parte futuro FT-SSM6J51TUTE85LF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSIV
SSM6J51TUTE85LF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.5V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54 mOhm @ 2A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1700pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor UF6
Paquete / Caja 6-SMD, Flat Leads
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6J51TUTE85LF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SSM6J51TUTE85LF-FT

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