casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SS1H9-E3/5AT
Número de pieza del fabricante | SS1H9-E3/5AT |
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Número de parte futuro | FT-SS1H9-E3/5AT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS1H9-E3/5AT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 90V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 770mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 90V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS1H9-E3/5AT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SS1H9-E3/5AT-FT |
RS1AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel