casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / RS1AHE3_A/I
Número de pieza del fabricante | RS1AHE3_A/I |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RS1AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS1AHE3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1AHE3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RS1AHE3_A/I-FT |
BYG23M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23M-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23T-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24G-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24G-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24J-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel