casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQJ858EP-T1_GE3
Número de pieza del fabricante | SQJ858EP-T1_GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SQJ858EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ858EP-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2500pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 68W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ858EP-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQJ858EP-T1_GE3-FT |
SI5480DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5480DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5481DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5481DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5482DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5482DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5484DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5484DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5485DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5485DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel