casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI5480DU-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI5480DU-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI5480DU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5480DU-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 7.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1230pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® ChipFet Single |
Paquete / Caja | PowerPAK® ChipFET™ Single |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5480DU-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI5480DU-T1-GE3-FT |
PCFD18N20W
MICROSS/On Semiconductor
PCFQ17P10W
MICROSS/On Semiconductor
PCFQ5P10W
MICROSS/On Semiconductor
PCFQ8P10W
MICROSS/On Semiconductor
PH7630DLX
Nexperia USA Inc.
PHL5830AL,115
NXP USA Inc.
PMCM440VNE/S500Z
Nexperia USA Inc.
PMCM650VNE/S500Z
Nexperia USA Inc.
PMF250XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMF63UNEAX
Nexperia USA Inc.
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation