casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQJ446EP-T1_GE3
Número de pieza del fabricante | SQJ446EP-T1_GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SQJ446EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ446EP-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4220pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 46W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ446EP-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQJ446EP-T1_GE3-FT |
SI5479DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5480DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5480DU-T1-GE3
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SI5481DU-T1-E3
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SI5481DU-T1-GE3
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Vishay Siliconix
SI5482DU-T1-GE3
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SI5484DU-T1-E3
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SI5484DU-T1-GE3
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SI5485DU-T1-E3
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-6TG100I
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XA3S400A-4FTG256I
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A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel