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Vishay Siliconix SQD10N30-330H_GE3

Name: SQD10N30-330H_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD10N30-330H_GE3
Price: 0.59136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (119 reviews)

Número de pieza de MFG: SQD10N30-330H_GE3

Cantidad disponible: 25040 Piezas

Precio de referencia: USD 0.59136

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SQD10N30-330H_GE3.pdf

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Número de pieza del fabricante	SQD10N30-330H_GE3
Número de parte futuro	FT-SQD10N30-330H_GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQD10N30-330H_GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	300V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	330 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2190pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQD10N30-330H_GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SQD10N30-330H_GE3-FT

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