casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHP22N60AE-GE3
Número de pieza del fabricante | SIHP22N60AE-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SIHP22N60AE-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E |
SIHP22N60AE-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1451pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 179W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHP22N60AE-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIHP22N60AE-GE3-FT |
SI3473CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3473CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3473DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3473DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3473DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3474DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3475DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3475DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3477DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3481DV-T1-E3
Vishay Siliconix
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel