casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI3473DV-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI3473DV-T1-E3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI3473DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI3473DV-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.9A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3473DV-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI3473DV-T1-E3-FT |
SI5913DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5913DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3483CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3456DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3457EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI3469DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3460BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3410DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3459BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3456BEV-T1_GE3
Vishay Siliconix
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation