casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQ3457EV-T1_GE3
Número de pieza del fabricante | SQ3457EV-T1_GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SQ3457EV-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ3457EV-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 705pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ3457EV-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQ3457EV-T1_GE3-FT |
SI1071X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1072X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1072X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1073X-T1-E3
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SI1073X-T1-GE3
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SI1046X-T1-GE3
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SI1012R-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel