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Vishay Siliconix SQA470EEJ-T1_GE3

Name: SQA470EEJ-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQA470EEJ-T1_GE3
Price: 0.182952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (243 reviews)

Número de pieza de MFG: SQA470EEJ-T1_GE3

Cantidad disponible: 24140 Piezas

Precio de referencia: USD 0.182952

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SQA470EEJ-T1_GE3.pdf

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Número de pieza del fabricante	SQA470EEJ-T1_GE3
Número de parte futuro	FT-SQA470EEJ-T1_GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQA470EEJ-T1_GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.25A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	453pF @ 20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	13.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquete / Caja	PowerPAK® SC-70-6
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQA470EEJ-T1_GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SQA470EEJ-T1_GE3-FT

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